Справочник MOSFET. IRFIBF30G

 

IRFIBF30G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFIBF30G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 78(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFIBF30G

 

 

IRFIBF30G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:907K  international rectifier
 irfibf30g.pdf

IRFIBF30G IRFIBF30G

PD - 94874IRFIBF30GPbF Lead-Free12/9/03Document Number: 91186 www.vishay.com1IRFIBF30GPbFDocument Number: 91186 www.vishay.com2IRFIBF30GPbFDocument Number: 91186 www.vishay.com3IRFIBF30GPbFDocument Number: 91186 www.vishay.com4IRFIBF30GPbFDocument Number: 91186 www.vishay.com5IRFIBF30GPbFDocument Number: 91186 www.vishay.com6IRFIBF30GPbFTO-22

 ..2. Size:1451K  vishay
 irfibf30g sihfibf30g.pdf

IRFIBF30G IRFIBF30G

IRFIBF30G, SiHFIBF30GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 900Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 3.7RoHS*f = 60 Hz)Qg (Max.) (nC) 78 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 10 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 42 Low Thermal ResistanceConfiguration Sin

 8.1. Size:168K  international rectifier
 irfibf20g.pdf

IRFIBF30G IRFIBF30G

 8.2. Size:1034K  international rectifier
 irfibf20gpbf.pdf

IRFIBF30G IRFIBF30G

PD- 95650IRFIBF20GPbF Lead-Free7/26/04Document Number: 91185 www.vishay.com1IRFIBF20GPbFDocument Number: 91185 www.vishay.com2IRFIBF20GPbFDocument Number: 91185 www.vishay.com3IRFIBF20GPbFDocument Number: 91185 www.vishay.com4IRFIBF20GPbFDocument Number: 91185 www.vishay.com5IRFIBF20GPbFDocument Number: 91185 www.vishay.com6IRFIBF20GPbFPeak D

 8.3. Size:1680K  vishay
 irfibf20g sihfibf20g.pdf

IRFIBF30G IRFIBF30G

IRFIBF20G, SiHFIBF20GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 900Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 8.0RoHS*f = 60 Hz)COMPLIANTQg (Max.) (nC) 38 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 4.7 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 21 Lead (Pb)-free AvailableConfiguration SingleDESCRIPT

Другие MOSFET... IRFIB7N50A , IRFIBC20G , IRFIBC30G , IRFIBC40G , IRFIBC40GLC , IRFIBE20G , IRFIBE30G , IRFIBF20G , IRFZ44 , IRFIZ14A , IRFIZ24A , IRFIZ24E , IRFIZ24N , IRFIZ34A , IRFIZ34E , IRFIZ34N , IRFIZ44A .

 

 
Back to Top