IRFIZ14A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFIZ14A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: TO262

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IRFIZ14A datasheet

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IRFIZ14A

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IRFIZ14A

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IRFIZ14A

IRFIZ14G, SiHFIZ14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* f = 60 Hz) COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 11 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 3.1 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 5.8 Dynamic dv/dt Rating Configur

 7.2. Size:159K  international rectifier
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IRFIZ14A

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