IRFIZ14A Todos los transistores

 

IRFIZ14A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFIZ14A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFIZ14A

 

IRFIZ14A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  1
irfwz14a irfiz14a.pdf

IRFIZ14A
IRFIZ14A

 ..2. Size:273K  1
irfiz14a irfw14a.pdf

IRFIZ14A
IRFIZ14A

 7.1. Size:1001K  international rectifier
irfiz14g irfiz14gpbf.pdf

IRFIZ14A
IRFIZ14A

IRFIZ14G, SiHFIZ14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.20RoHS*f = 60 Hz)COMPLIANTQg (Max.) (nC) 11 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.1 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.8 Dynamic dv/dt RatingConfigur

 7.2. Size:159K  international rectifier
irfiz14g.pdf

IRFIZ14A
IRFIZ14A

Document Number: 90224 www.vishay.com851Document Number: 90224 www.vishay.com852Document Number: 90224 www.vishay.com853Document Number: 90224 www.vishay.com854Document Number: 90224 www.vishay.com855Document Number: 90224 www.vishay.com856Legal Disclaimer NoticeVishayNoticeThe products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as part o

 7.3. Size:1000K  vishay
irfiz14g sihfiz14g.pdf

IRFIZ14A
IRFIZ14A

IRFIZ14G, SiHFIZ14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.20RoHS*f = 60 Hz)COMPLIANTQg (Max.) (nC) 11 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.1 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.8 Dynamic dv/dt RatingConfigur

Otros transistores... IRFIBC20G , IRFIBC30G , IRFIBC40G , IRFIBC40GLC , IRFIBE20G , IRFIBE30G , IRFIBF20G , IRFIBF30G , P55NF06 , IRFIZ24A , IRFIZ24E , IRFIZ24N , IRFIZ34A , IRFIZ34E , IRFIZ34N , IRFIZ44A , IRFIZ44N .

 

 
Back to Top

 


IRFIZ14A
  IRFIZ14A
  IRFIZ14A
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top