IRFIZ14A Todos los transistores

 

IRFIZ14A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFIZ14A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFIZ14A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  1
 irfwz14a irfiz14a.pdf pdf_icon

IRFIZ14A

 ..2. Size:273K  1
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IRFIZ14A

 7.1. Size:1001K  international rectifier
 irfiz14g irfiz14gpbf.pdf pdf_icon

IRFIZ14A

IRFIZ14G, SiHFIZ14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.20RoHS*f = 60 Hz)COMPLIANTQg (Max.) (nC) 11 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.1 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.8 Dynamic dv/dt RatingConfigur

 7.2. Size:159K  international rectifier
 irfiz14g.pdf pdf_icon

IRFIZ14A

Document Number: 90224 www.vishay.com851Document Number: 90224 www.vishay.com852Document Number: 90224 www.vishay.com853Document Number: 90224 www.vishay.com854Document Number: 90224 www.vishay.com855Document Number: 90224 www.vishay.com856Legal Disclaimer NoticeVishayNoticeThe products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as part o

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History: STD5N52K3 | UF630G-TN3-R | PE506BA | 2SK815 | F5F50VX2 | CSD19536KCS

 

 
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