IRFIZ14A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFIZ14A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IRFIZ14A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFIZ14A даташит

 ..1. Size:273K  1
 irfwz14a irfiz14a.pdf pdf_icon

IRFIZ14A

 ..2. Size:273K  1
 irfiz14a irfw14a.pdf pdf_icon

IRFIZ14A

 7.1. Size:1001K  international rectifier
 irfiz14g irfiz14gpbf.pdf pdf_icon

IRFIZ14A

IRFIZ14G, SiHFIZ14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* f = 60 Hz) COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 11 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 3.1 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 5.8 Dynamic dv/dt Rating Configur

 7.2. Size:159K  international rectifier
 irfiz14g.pdf pdf_icon

IRFIZ14A

Document Number 90224 www.vishay.com 851 Document Number 90224 www.vishay.com 852 Document Number 90224 www.vishay.com 853 Document Number 90224 www.vishay.com 854 Document Number 90224 www.vishay.com 855 Document Number 90224 www.vishay.com 856 Legal Disclaimer Notice Vishay Notice The products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as part o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFIBC20G, IRFIBC30G, IRFIBC40G, IRFIBC40GLC, IRFIBE20G, IRFIBE30G, IRFIBF20G, IRFIBF30G, IRLZ44N, IRFIZ24A, IRFIZ24E, IRFIZ24N, IRFIZ34A, IRFIZ34E, IRFIZ34N, IRFIZ44A, IRFIZ44N