IRLMS1902PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLMS1902PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT26
Búsqueda de reemplazo de IRLMS1902PBF MOSFET
IRLMS1902PBF Datasheet (PDF)
irlms1902.pdf
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irlms1902trpbf.pdf
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irlms1902tr.pdf
PD - 91540CIRLMS1902HEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = 20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl N-Channel MOSFET3 4G SRDS(on) = 0.10DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance persilicon area. T
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History: 740 | SML50S30 | KTK951S | SI4056DY | 13N50F | RFD16N06LESM | NDT5N70P
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Liste
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