IRLMS1902PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLMS1902PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT26
- Selección de transistores por parámetros
IRLMS1902PBF Datasheet (PDF)
irlms1902.pdf

PD - 9.1540BIRLMS1902HEXFET Power MOSFET Generation V Technology Micro6 Package StyleVDSS = 20V Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFETRDS(on) = 0.10DescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefit, combined with the fast switching speed andrugged
irlms1902trpbf.pdf

PD - 95359IRLMS1902PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = 20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl N-Channel MOSFETl Lead-Free3 4G SRDS(on) = 0.10DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per
irlms1902tr.pdf

PD - 91540CIRLMS1902HEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = 20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl N-Channel MOSFET3 4G SRDS(on) = 0.10DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance persilicon area. T
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: VS3620DP-G | 2SJ152
History: VS3620DP-G | 2SJ152



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620