IRF1607PBF Todos los transistores

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IRF1607PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF1607PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 380 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 142 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 130 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1230 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0075 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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IRF1607PBF Datasheet (PDF)

1.1. irf1607pbf.pdf Size:256K _upd

IRF1607PBF
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PD -95487A IRF1607PbF Typical Applications HEXFET® Power MOSFET Industrial Motor Drive D VDSS = 75V Benefits Ultra Low On-Resistance RDS(on) = 0.0075Ω Dynamic dv/dt Rating G 175°C Operating Temperature Fast Switching ID = 142A† S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free Description This Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastes

3.1. irf1607.pdf Size:234K _international_rectifier

IRF1607PBF
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PD -94158 AUTOMOTIVE MOSFET IRF1607 Typical Applications HEXFET Power MOSFET 42 Volts Automotive Electrical Systems D Electrical Power Steering (EPS) VDSS = 75V Integrated Starter Alternator Benefits Ultra Low On-Resistance RDS(on) = 0.0075? Dynamic dv/dt Rating G 175C Operating Temperature ID = 142AV Fast Switching S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Automoti

 

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