Справочник MOSFET. IRF1607PBF

 

IRF1607PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF1607PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 142 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для IRF1607PBF

 

 

IRF1607PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  international rectifier
 irf1607pbf.pdf

IRF1607PBF IRF1607PBF

PD -95487AIRF1607PbFTypical ApplicationsHEXFET Power MOSFET Industrial Motor DriveDVDSS = 75VBenefits Ultra Low On-ResistanceRDS(on) = 0.0075 Dynamic dv/dt RatingG 175C Operating Temperature Fast SwitchingID = 142AS Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeDescriptionThis Stripe Planar design of HEXFET Power MOSFETsutilizes the lastes

 7.1. Size:234K  international rectifier
 irf1607.pdf

IRF1607PBF IRF1607PBF

PD -94158AUTOMOTIVE MOSFETIRF1607Typical ApplicationsHEXFET Power MOSFET 42 Volts Automotive Electrical SystemsD Electrical Power Steering (EPS)VDSS = 75V Integrated Starter AlternatorBenefits Ultra Low On-ResistanceRDS(on) = 0.0075 Dynamic dv/dt RatingG 175C Operating TemperatureID = 142AV Fast SwitchingS Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax A

 7.2. Size:245K  inchange semiconductor
 irf1607.pdf

IRF1607PBF IRF1607PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1607IIRF1607FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 7.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

 9.1. Size:1604K  cn sps
 smirf16n65.pdf

IRF1607PBF IRF1607PBF

SMIRF16N6530V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescription ID 16A SMIRF12N65 is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor. The improved VDSS 650V planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize Rdson max 0.6(VGS=10V, ID=8A) on-state resistance, provide superior

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top