IRF1704 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF1704
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF1704

IRF1704 Datasheet (PDF)

..1. Size:106K international rectifier
irf1704.pdf

PD -94012CAUTOMOTIVE MOSFETIRF1704BenefitsHEXFET Power MOSFET 200C Operaing TemperatureD Advanced Process TechnologyVDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.004 Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowedup to Tj MaxID = 170A S Automotive Qualified (Q101)DescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

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