IRF1704 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF1704
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1660 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de IRF1704 MOSFET
IRF1704 Datasheet (PDF)
irf1704.pdf

PD -94012CAUTOMOTIVE MOSFETIRF1704BenefitsHEXFET Power MOSFET 200C Operaing TemperatureD Advanced Process TechnologyVDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.004 Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowedup to Tj MaxID = 170A S Automotive Qualified (Q101)DescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this
Otros transistores... IRF1503L , IRF1503LPBF , IRF1503PBF , IRF1503SPBF , IRF150B , IRF150C , IRF150SMD , IRF1607PBF , IRFZ48N , IRF1902PBF , IRF200B211 , IRLL2705PBF , IRLL3303PBF , IRLL014NPBF , IRLL014PBF , IRLL024NPBF , IRLL024ZPBF .
History: SMS318 | WMO60N02T1 | FDD6N50TM-F085 | TMD3N90 | IRFR5410 | SFG10S08PF | ASDM40N52
History: SMS318 | WMO60N02T1 | FDD6N50TM-F085 | TMD3N90 | IRFR5410 | SFG10S08PF | ASDM40N52



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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