IRF1704. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF1704

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRF1704

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1704 даташит

 ..1. Size:106K  international rectifier
 irf1704.pdf pdf_icon

IRF1704

PD -94012C AUTOMOTIVE MOSFET IRF1704 Benefits HEXFET Power MOSFET 200 C Operaing Temperature D Advanced Process Technology VDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.004 Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tj Max ID = 170A S Automotive Qualified (Q101) Description Specifically designed for Automotive applications, this

Другие IGBT... IRF1503L, IRF1503LPBF, IRF1503PBF, IRF1503SPBF, IRF150B, IRF150C, IRF150SMD, IRF1607PBF, STP65NF06, IRF1902PBF, IRF200B211, IRLL2705PBF, IRLL3303PBF, IRLL014NPBF, IRLL014PBF, IRLL024NPBF, IRLL024ZPBF