IRF1704 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRF1704
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1660 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRF1704
IRF1704 Datasheet (PDF)
irf1704.pdf

PD -94012CAUTOMOTIVE MOSFETIRF1704BenefitsHEXFET Power MOSFET 200C Operaing TemperatureD Advanced Process TechnologyVDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.004 Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowedup to Tj MaxID = 170A S Automotive Qualified (Q101)DescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this
Другие MOSFET... IRF1503L , IRF1503LPBF , IRF1503PBF , IRF1503SPBF , IRF150B , IRF150C , IRF150SMD , IRF1607PBF , IRF1405 , IRF1902PBF , IRF200B211 , IRLL2705PBF , IRLL3303PBF , IRLL014NPBF , IRLL014PBF , IRLL024NPBF , IRLL024ZPBF .
History: IRF200B211 | SI1317DL
History: IRF200B211 | SI1317DL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor