IRF1902PBF Todos los transistores

 

IRF1902PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF1902PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de IRF1902PBF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRF1902PBF datasheet

 ..1. Size:134K  international rectifier
 irf1902pbf.pdf pdf_icon

IRF1902PBF

PD - 95496 IRF1902PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l N-Channel MOSFET 20V 85@VGS = 4.5V 4.0A l Surface Mount 170@VGS = 2.7V 3.2A l Available in Tape & Reel l Lead-Free A A Description 1 8 S D These N-Channel HEXFET power MOSFETs from 2 7 S D International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely lo

 7.1. Size:107K  international rectifier
 irf1902.pdf pdf_icon

IRF1902PBF

PD - 94282A IRF1902 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance ) VDSS RDS(on) max (m ) ID ) ) ) N-Channel MOSFET 20V 85@VGS = 4.5V 4.0A Surface Mount 170@VGS = 2.7V 3.2A Available in Tape & Reel A A Description 1 8 S D These N-Channel HEXFET power MOSFETs from 2 7 S D International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extr

Otros transistores... IRF1503LPBF , IRF1503PBF , IRF1503SPBF , IRF150B , IRF150C , IRF150SMD , IRF1607PBF , IRF1704 , IRF1405 , IRF200B211 , IRLL2705PBF , IRLL3303PBF , IRLL014NPBF , IRLL014PBF , IRLL024NPBF , IRLL024ZPBF , IRLL110TRPBF .

History: IRF351 | LSD60R1K4HT | STP16NE06FP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.