IRF1902PBF Todos los transistores

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IRF1902PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF1902PBF

Código: F1902

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 0.7 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.085 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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IRF1902PBF Datasheet (PDF)

1.1. irf1902pbf.pdf Size:134K _upd

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PD - 95496 IRF1902PbF HEXFET® Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l N-Channel MOSFET 20V 85@VGS = 4.5V 4.0A l Surface Mount 170@VGS = 2.7V 3.2A l Available in Tape & Reel l Lead-Free A A Description 1 8 S D These N-Channel HEXFET® power MOSFETs from 2 7 S D International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely lo

3.1. irf1902.pdf Size:107K _international_rectifier

IRF1902PBF
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PD - 94282A IRF1902 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance ?) VDSS RDS(on) max (m?) ID ?) ?) ?) N-Channel MOSFET 20V 85@VGS = 4.5V 4.0A Surface Mount 170@VGS = 2.7V 3.2A Available in Tape & Reel A A Description 1 8 S D These N-Channel HEXFET? power MOSFETs from 2 7 S D International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-res

 

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