IRF1902PBF Todos los transistores

 

IRF1902PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF1902PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de IRF1902PBF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF1902PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  international rectifier
 irf1902pbf.pdf pdf_icon

IRF1902PBF

PD - 95496IRF1902PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl N-Channel MOSFET20V 85@VGS = 4.5V 4.0Al Surface Mount170@VGS = 2.7V 3.2Al Available in Tape & Reell Lead-FreeAADescription 1 8S DThese N-Channel HEXFET power MOSFETs from2 7S DInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the extremely lo

 7.1. Size:107K  international rectifier
 irf1902.pdf pdf_icon

IRF1902PBF

PD - 94282AIRF1902HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) N-Channel MOSFET20V 85@VGS = 4.5V 4.0A Surface Mount170@VGS = 2.7V 3.2A Available in Tape & ReelAADescription 1 8S DThese N-Channel HEXFET power MOSFETs from2 7S DInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the extr

Otros transistores... IRF1503LPBF , IRF1503PBF , IRF1503SPBF , IRF150B , IRF150C , IRF150SMD , IRF1607PBF , IRF1704 , NCEP15T14 , IRF200B211 , IRLL2705PBF , IRLL3303PBF , IRLL014NPBF , IRLL014PBF , IRLL024NPBF , IRLL024ZPBF , IRLL110TRPBF .

History: TK6A65D | SSG6612N | HRLF190N03K | BUK455-60A | J112RLRAG | SVG104R5NS | ZXMP10A17E6

 

 
Back to Top

 


 
.