IRF1902PBF - описание и поиск аналогов

 

IRF1902PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF1902PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IRF1902PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1902PBF даташит

 ..1. Size:134K  international rectifier
 irf1902pbf.pdf pdf_icon

IRF1902PBF

PD - 95496 IRF1902PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l N-Channel MOSFET 20V 85@VGS = 4.5V 4.0A l Surface Mount 170@VGS = 2.7V 3.2A l Available in Tape & Reel l Lead-Free A A Description 1 8 S D These N-Channel HEXFET power MOSFETs from 2 7 S D International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely lo

 7.1. Size:107K  international rectifier
 irf1902.pdf pdf_icon

IRF1902PBF

PD - 94282A IRF1902 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance ) VDSS RDS(on) max (m ) ID ) ) ) N-Channel MOSFET 20V 85@VGS = 4.5V 4.0A Surface Mount 170@VGS = 2.7V 3.2A Available in Tape & Reel A A Description 1 8 S D These N-Channel HEXFET power MOSFETs from 2 7 S D International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extr

Другие MOSFET... IRF1503LPBF , IRF1503PBF , IRF1503SPBF , IRF150B , IRF150C , IRF150SMD , IRF1607PBF , IRF1704 , IRF1405 , IRF200B211 , IRLL2705PBF , IRLL3303PBF , IRLL014NPBF , IRLL014PBF , IRLL024NPBF , IRLL024ZPBF , IRLL110TRPBF .

History: TIS75

 

 

 

 

↑ Back to Top
.