IRLL3303PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLL3303PBF

Código: LL3303

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 16 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 22 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 340 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.031 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT223

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IRLL3303PBF Datasheet (PDF)

1.1. irll3303pbf.pdf Size:162K _upd

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2.1. irll3303.pdf Size:161K _international_rectifier

PD- 91379C IRLL3303 HEXFET� Power MOSFET Surface Mount D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 30V Logic-Level Gate Drive Fast Switching RDS(on) = 0.031? Ease of Paralleling G Advanced Process Technology ID = 4.6A Ultra Low On-Resistance S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance

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Liste

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