IRLL3303PBF Todos los transistores

 

IRLL3303PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLL3303PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de IRLL3303PBF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRLL3303PBF datasheet

 ..1. Size:164K  international rectifier
 irll3303pbf.pdf pdf_icon

IRLL3303PBF

PD- 95223 IRLL3303PbF Surface Mount HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating D Logic-Level Gate Drive VDSS = 30V Fast Switching Ease of Paralleling RDS(on) = 0.031 Advanced Process Technology G Ultra Low On-Resistance Lead-Free ID = 4.6A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely

 6.1. Size:161K  international rectifier
 irll3303.pdf pdf_icon

IRLL3303PBF

PD- 91379C IRLL3303 HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 30V Logic-Level Gate Drive Fast Switching RDS(on) = 0.031 Ease of Paralleling G Advanced Process Technology ID = 4.6A Ultra Low On-Resistance S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resis

Otros transistores... IRF150B , IRF150C , IRF150SMD , IRF1607PBF , IRF1704 , IRF1902PBF , IRF200B211 , IRLL2705PBF , IRFZ46N , IRLL014NPBF , IRLL014PBF , IRLL024NPBF , IRLL024ZPBF , IRLL110TRPBF , IRLL2703PBF , IRFL014NPBF , IRFL014PBF .

History: FCD600N60Z | 2015 | APM9984CCG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.