IRLL3303PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLL3303PBF
Código: LL3303
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 16 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V
Corriente continua de drenaje (Id): 4.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 340 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.031 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT223
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IRLL3303PBF Datasheet (PDF)
1.1. irll3303pbf.pdf 
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PD- 95223 IRLL3303PbF Surface Mount HEXFET® Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating D Logic-Level Gate Drive VDSS = 30V Fast Switching Ease of Paralleling RDS(on) = 0.031Ω Advanced Process Technology G Ultra Low On-Resistance Lead-Free ID = 4.6A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely
2.1. irll3303.pdf Size:161K _international_rectifier
PD- 91379C IRLL3303 HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 30V Logic-Level Gate Drive Fast Switching RDS(on) = 0.031? Ease of Paralleling G Advanced Process Technology ID = 4.6A Ultra Low On-Resistance S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance
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