IRLL3303PBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLL3303PBF  📄📄 

Código: LL3303

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: SOT223

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IRLL3303PBF datasheet

 ..1. Size:164K  international rectifier
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IRLL3303PBF

PD- 95223 IRLL3303PbF Surface Mount HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating D Logic-Level Gate Drive VDSS = 30V Fast Switching Ease of Paralleling RDS(on) = 0.031 Advanced Process Technology G Ultra Low On-Resistance Lead-Free ID = 4.6A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely

 6.1. Size:161K  international rectifier
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IRLL3303PBF

PD- 91379C IRLL3303 HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 30V Logic-Level Gate Drive Fast Switching RDS(on) = 0.031 Ease of Paralleling G Advanced Process Technology ID = 4.6A Ultra Low On-Resistance S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resis

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