Справочник MOSFET. IRLL3303PBF

 

IRLL3303PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLL3303PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLL3303PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  international rectifier
 irll3303pbf.pdf pdf_icon

IRLL3303PBF

PD- 95223IRLL3303PbF Surface MountHEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingD Logic-Level Gate DriveVDSS = 30V Fast Switching Ease of ParallelingRDS(on) = 0.031 Advanced Process TechnologyG Ultra Low On-Resistance Lead-Free ID = 4.6ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely

 6.1. Size:161K  international rectifier
 irll3303.pdf pdf_icon

IRLL3303PBF

PD- 91379CIRLL3303HEXFET Power MOSFET Surface MountD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 30V Logic-Level Gate Drive Fast SwitchingRDS(on) = 0.031 Ease of ParallelingG Advanced Process TechnologyID = 4.6A Ultra Low On-ResistanceSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resis

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KIA4N60H-252 | AP2306CGN-HF | MSD30N06 | IXFV12N80PS | STP27N3LH5 | LNC4N80 | MT3203

 

 
Back to Top

 


 
.