IRLL3303PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLL3303PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для IRLL3303PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLL3303PBF даташит

 ..1. Size:164K  international rectifier
 irll3303pbf.pdf pdf_icon

IRLL3303PBF

PD- 95223 IRLL3303PbF Surface Mount HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating D Logic-Level Gate Drive VDSS = 30V Fast Switching Ease of Paralleling RDS(on) = 0.031 Advanced Process Technology G Ultra Low On-Resistance Lead-Free ID = 4.6A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely

 6.1. Size:161K  international rectifier
 irll3303.pdf pdf_icon

IRLL3303PBF

PD- 91379C IRLL3303 HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 30V Logic-Level Gate Drive Fast Switching RDS(on) = 0.031 Ease of Paralleling G Advanced Process Technology ID = 4.6A Ultra Low On-Resistance S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resis

Другие IGBT... IRF150B, IRF150C, IRF150SMD, IRF1607PBF, IRF1704, IRF1902PBF, IRF200B211, IRLL2705PBF, IRFZ46N, IRLL014NPBF, IRLL014PBF, IRLL024NPBF, IRLL024ZPBF, IRLL110TRPBF, IRLL2703PBF, IRFL014NPBF, IRFL014PBF