IRFL9110PBF Todos los transistores

 

IRFL9110PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFL9110PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: SOT223

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IRFL9110PBF datasheet

 ..1. Size:225K  international rectifier
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IRFL9110PBF

PD - 95320 IRFL9110PbF HEXFET Power MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel D VDSS = -100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel RDS(on) = 1.2 Fast Switching G Ease of Paralleling Lead-Free ID = -1.1A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, rugg

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IRFL9110PBF

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IRFL9110PBF

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IRFL9110PBF

IRFL9110TRPBF www.VBsemi.tw P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested 0.200 at VGS = - 10 V - 3.0 - 100 13.2 nC 0.230 at VGS = - 6 V - 2.4 APPLICATIONS Available Active Clamp in Intermediate DC/ DC Power Supplies S H-Bridge High Side Switch for Lighting Application

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History: STP100N6F7 | IRFL024NPBF

 

 

 

 

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