IRFL9110PBF Todos los transistores

 

IRFL9110PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFL9110PBF

Código: FL9110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 27 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 94 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT223

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IRFL9110PBF Datasheet (PDF)

1.1. irfl9110pbf.pdf Size:225K _international_rectifier

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PD - 95320 IRFL9110PbF HEXFET Power MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel D VDSS = -100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel RDS(on) = 1.2? Fast Switching G Ease of Paralleling Lead-Free ID = -1.1A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

2.1. irfl9110.pdf Size:171K _international_rectifier

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2.2. irfl9110 sihfl9110.pdf Size:1443K _vishay

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IRFL9110, SiHFL9110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 100 Definition Surface Mount RDS(on) (?)VGS = - 10 V 1.2 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.7 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 2.2 Repetitive Avalanche Rated Qgd (nC) 4.1 P-Channel Fast Switching Configuration Single Ease of Parallelin

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