IRFL9110PBF - описание и поиск аналогов

 

IRFL9110PBF - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFL9110PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для IRFL9110PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFL9110PBF технические параметры

 ..1. Size:225K  international rectifier
irfl9110pbf.pdfpdf_icon

IRFL9110PBF

PD - 95320 IRFL9110PbF HEXFET Power MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel D VDSS = -100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel RDS(on) = 1.2 Fast Switching G Ease of Paralleling Lead-Free ID = -1.1A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, rugg

 6.1. Size:171K  international rectifier
irfl9110.pdfpdf_icon

IRFL9110PBF

 6.2. Size:1443K  vishay
irfl9110 sihfl9110.pdfpdf_icon

IRFL9110PBF

 6.3. Size:894K  cn vbsemi
irfl9110trpbf.pdfpdf_icon

IRFL9110PBF

IRFL9110TRPBF www.VBsemi.tw P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested 0.200 at VGS = - 10 V - 3.0 - 100 13.2 nC 0.230 at VGS = - 6 V - 2.4 APPLICATIONS Available Active Clamp in Intermediate DC/ DC Power Supplies S H-Bridge High Side Switch for Lighting Application

Другие MOSFET... IRFL1006PBF , IRFL110PBF , IRFL210PBF , IRFL214PBF , IRFL4105PBF , IRFL4310PBF , IRFL4315PBF , IRFL9014PBF , IRF840 , IRLZ44PBF , IRLZ44S , IRLZ44SPBF , IRLZ44ZLPBF , IRLZ44ZPBF , IRLZ44ZSPBF , IRLZ44NLPBF , IRLZ44NPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.