Справочник MOSFET. IRFL9110PBF

 

IRFL9110PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFL9110PBF
   Маркировка: FL9110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для IRFL9110PBF

 

 

IRFL9110PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  international rectifier
 irfl9110pbf.pdf

IRFL9110PBF IRFL9110PBF

PD - 95320IRFL9110PbFHEXFET Power MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel DVDSS = -100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-ChannelRDS(on) = 1.2 Fast SwitchingG Ease of Paralleling Lead-FreeID = -1.1ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of fastswitching, rugg

 6.1. Size:171K  international rectifier
 irfl9110.pdf

IRFL9110PBF IRFL9110PBF

 6.2. Size:1443K  vishay
 irfl9110 sihfl9110.pdf

IRFL9110PBF IRFL9110PBF

IRFL9110, SiHFL9110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100 Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2 Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 8.7 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 2.2 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 4.1 P-Channel Fast SwitchingConfiguration Single

 6.3. Size:894K  cn vbsemi
 irfl9110trpbf.pdf

IRFL9110PBF IRFL9110PBF

IRFL9110TRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested0.200 at VGS = - 10 V - 3.0- 100 13.2 nC0.230 at VGS = - 6 V - 2.4APPLICATIONSAvailable Active Clamp in Intermediate DC/DC Power SuppliesS H-Bridge High Side Switch forLighting Application

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top