IRLI520G Todos los transistores

 

IRLI520G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLI520G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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IRLI520G datasheet

 ..1. Size:158K  international rectifier
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IRLI520G

Document Number 90397 www.vishay.com 1379 Document Number 90397 www.vishay.com 1380 Document Number 90397 www.vishay.com 1381 Document Number 90397 www.vishay.com 1382 Document Number 90397 www.vishay.com 1383 Document Number 90397 www.vishay.com 1384 Legal Disclaimer Notice Vishay Notice The products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as

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IRLI520G

IRLI520G, SiHLI520G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.27 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 3.0 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 7.

 ..3. Size:967K  vishay
 irli520g sihli520g.pdf pdf_icon

IRLI520G

IRLI520G, SiHLI520G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.27 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 3.0 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 7.

 7.1. Size:165K  1
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IRLI520G

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