IRLI520G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLI520G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 37 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V
Corriente continua de drenaje (Id): 7.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V
Tiempo de elevación (tr): 64 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.27 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220F
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IRLI520G Datasheet (PDF)
1.1. irli520g irli520gpbf.pdf 
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IRLI520G, SiHLI520G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Isolated Package VDS (V) 100 • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) (Ω)VGS = 5 V 0.27 RoHS* • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 • Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 3.0 • RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 7.
1.2. irli520g.pdf Size:158K _international_rectifier
Document Number: 90397 www.vishay.com 1379 Document Number: 90397 www.vishay.com 1380 Document Number: 90397 www.vishay.com 1381 Document Number: 90397 www.vishay.com 1382 Document Number: 90397 www.vishay.com 1383 Document Number: 90397 www.vishay.com 1384 Legal Disclaimer Notice Vishay Notice The products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as par
1.3. irli520g sihli520g.pdf Size:967K _vishay
IRLI520G, SiHLI520G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) (?)VGS = 5 V 0.27 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 3.0 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 7.1 Fast Swit
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