IRLI520G Todos los transistores

 

IRLI520G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLI520G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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IRLI520G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  international rectifier
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IRLI520G

Document Number: 90397 www.vishay.com1379Document Number: 90397 www.vishay.com1380Document Number: 90397 www.vishay.com1381Document Number: 90397 www.vishay.com1382Document Number: 90397 www.vishay.com1383Document Number: 90397 www.vishay.com1384Legal Disclaimer NoticeVishayNoticeThe products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as

 ..2. Size:968K  vishay
 irli520g irli520gpbf sihli520g.pdf pdf_icon

IRLI520G

IRLI520G, SiHLI520GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 5 V 0.27RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.0 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 7.

 ..3. Size:967K  vishay
 irli520g sihli520g.pdf pdf_icon

IRLI520G

IRLI520G, SiHLI520GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 5 V 0.27RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.0 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 7.

 7.1. Size:165K  1
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History: NCEP090N10AGU | STM4820

 

 
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