IRLI520G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLI520G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IRLI520G
IRLI520G Datasheet (PDF)
irli520g.pdf

Document Number: 90397 www.vishay.com1379Document Number: 90397 www.vishay.com1380Document Number: 90397 www.vishay.com1381Document Number: 90397 www.vishay.com1382Document Number: 90397 www.vishay.com1383Document Number: 90397 www.vishay.com1384Legal Disclaimer NoticeVishayNoticeThe products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as
irli520g irli520gpbf sihli520g.pdf

IRLI520G, SiHLI520GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 5 V 0.27RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.0 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 7.
irli520g sihli520g.pdf

IRLI520G, SiHLI520GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 5 V 0.27RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.0 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 7.
Другие MOSFET... IRLZ14L , IRLZ14PBF , IRLZ14S , IRLZ14SPBF , IRLI2203NPBF , IRLI2910PBF , IRLI3705NPBF , IRLI3803PBF , AO3400 , IRLI520GPBF , IRLI520NPBF , IRLI530G , IRLI530GPBF , IRLI540G , IRLI540GPBF , IRLI540NPBF , IRLI620GPBF .
History: IRFSL41N15DPBF | IPI045N10N3G | VIS30019 | MMBT7002W | WML90R260S | JFFC13N65D | SUP60N06-18
History: IRFSL41N15DPBF | IPI045N10N3G | VIS30019 | MMBT7002W | WML90R260S | JFFC13N65D | SUP60N06-18



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312