IRLI640GPBF Todos los transistores

 

IRLI640GPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLI640GPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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IRLI640GPBF datasheet

 ..1. Size:1231K  international rectifier
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IRLI640GPBF

PD- 95654 IRLI640GPbF Lead-Free 7/26/04 Document Number 91314 www.vishay.com 1 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 2 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 3 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 4 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 5 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 6 IRLI640GPbF Peak Diode Re

 ..2. Size:1708K  vishay
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IRLI640GPBF

 6.1. Size:153K  international rectifier
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IRLI640GPBF

PD - 9.1237 IRLI640G HEXFET Power MOSFET Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS VDSS = 200V Sink to Lead Creepage Dist. 4.8mm Logic-Level Gate Drive RDS(on) = 0.18 RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5V Fast Switching Ease of paralleling ID = 9.9A Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast

 6.2. Size:1706K  vishay
 irli640g sihli640g.pdf pdf_icon

IRLI640GPBF

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History: AGM30P25D | AGM20P22AS

 

 
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