Справочник MOSFET. IRLI640GPBF

 

IRLI640GPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLI640GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRLI640GPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLI640GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1231K  international rectifier
 irli640gpbf.pdf pdf_icon

IRLI640GPBF

PD- 95654IRLI640GPbF Lead-Free7/26/04Document Number: 91314 www.vishay.com1IRLI640GPbFDocument Number: 91314 www.vishay.com2IRLI640GPbFDocument Number: 91314 www.vishay.com3IRLI640GPbFDocument Number: 91314 www.vishay.com4IRLI640GPbFDocument Number: 91314 www.vishay.com5IRLI640GPbFDocument Number: 91314 www.vishay.com6IRLI640GPbFPeak Diode Re

 ..2. Size:1708K  vishay
 irli640gpbf sihli640g.pdf pdf_icon

IRLI640GPBF

IRLI640G, SiHLI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.18f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mmQg (Max.) (nC) 66 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 9.0 RDS(on) Specified at VGS = 4V and 5 VQgd (nC) 38

 6.1. Size:153K  international rectifier
 irli640g.pdf pdf_icon

IRLI640GPBF

PD - 9.1237IRLI640GHEXFET Power MOSFETIsolated PackageHigh Voltage Isolation = 2.5KVRMS VDSS = 200VSink to Lead Creepage Dist. 4.8mmLogic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.18RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5VFast SwitchingEase of parallelingID = 9.9ADescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designerwith the best combination of fast

 6.2. Size:1706K  vishay
 irli640g sihli640g.pdf pdf_icon

IRLI640GPBF

IRLI640G, SiHLI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.18f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mmQg (Max.) (nC) 66 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 9.0 RDS(on) Specified at VGS = 4V and 5 VQgd (nC) 38

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRLI520NPBF , IRLI530G , IRLI530GPBF , IRLI540G , IRLI540GPBF , IRLI540NPBF , IRLI620GPBF , IRLI630GPBF , 4435 , IRLIB4343 , IRLIB9343PBF , IRLIZ14GPBF , IRLIZ24NPBF , IRLIZ34GPBF , IRLIZ34NPBF , IRLIZ44GPBF , IRLIZ44NPBF .

History: HM4406A | STP20NE06LFP | ASDM30P09ZB | MTH6N100E | NCE65TF130F | AUIRF1324 | AOD254

 

 
Back to Top

 


 
.