IRLIB4343 Todos los transistores

 

IRLIB4343 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLIB4343
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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IRLIB4343 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  international rectifier
 irlib4343.pdf pdf_icon

IRLIB4343

PD - 95857ADIGITAL AUDIO MOSFETIRLIB4343Featuresl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D AudioAmplifier ApplicationsVDS55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = 10V m:42l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m:57EfficiencyQg typ.l Low Qrr for Better THD and Lower EMI 28

 9.1. Size:212K  international rectifier
 irlib9343pbf.pdf pdf_icon

IRLIB4343

PD - 95745DIGITAL AUDIO MOSFETIRLIB9343PbFFeaturesl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS-55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = -10V m93l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m150 EfficiencyQg typ.l Low Qrr for Better THD and Lower E

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History: CS4N80FA9HD | FHD150N03A | S60N12R | WMJ18N90D1 | IRFS4010-7P | IRF840AL | IRF442

 

 
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