IRLIB4343 Todos los transistores

 

IRLIB4343 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLIB4343

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRLIB4343 datasheet

 ..1. Size:234K  international rectifier
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IRLIB4343

PD - 95857A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLIB4343 Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS 55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = 10V m 42 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m 57 Efficiency Qg typ. l Low Qrr for Better THD and Lower EMI 28

 9.1. Size:212K  international rectifier
 irlib9343pbf.pdf pdf_icon

IRLIB4343

PD - 95745 DIGITAL AUDIO MOSFET IRLIB9343PbF Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low Qrr for Better THD and Lower E

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History: IRLI620GPBF

 

 

 

 

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