IRLIB4343 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRLIB4343

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRLIB4343

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLIB4343 даташит

 ..1. Size:234K  international rectifier
 irlib4343.pdf pdf_icon

IRLIB4343

PD - 95857A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLIB4343 Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS 55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = 10V m 42 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m 57 Efficiency Qg typ. l Low Qrr for Better THD and Lower EMI 28

 9.1. Size:212K  international rectifier
 irlib9343pbf.pdf pdf_icon

IRLIB4343

PD - 95745 DIGITAL AUDIO MOSFET IRLIB9343PbF Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low Qrr for Better THD and Lower E

Другие IGBT... IRLI530G, IRLI530GPBF, IRLI540G, IRLI540GPBF, IRLI540NPBF, IRLI620GPBF, IRLI630GPBF, IRLI640GPBF, IRF1010E, IRLIB9343PBF, IRLIZ14GPBF, IRLIZ24NPBF, IRLIZ34GPBF, IRLIZ34NPBF, IRLIZ44GPBF, IRLIZ44NPBF, IRFF9111