Справочник MOSFET. IRLIB4343

 

IRLIB4343 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLIB4343
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLIB4343 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  international rectifier
irlib4343.pdfpdf_icon

IRLIB4343

PD - 95857ADIGITAL AUDIO MOSFETIRLIB4343Featuresl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D AudioAmplifier ApplicationsVDS55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = 10V m:42l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m:57EfficiencyQg typ.l Low Qrr for Better THD and Lower EMI 28

 9.1. Size:212K  international rectifier
irlib9343pbf.pdfpdf_icon

IRLIB4343

PD - 95745DIGITAL AUDIO MOSFETIRLIB9343PbFFeaturesl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS-55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = -10V m93l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m150 EfficiencyQg typ.l Low Qrr for Better THD and Lower E

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.