IRFL1006 Todos los transistores

 

IRFL1006 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFL1006
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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IRFL1006 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  international rectifier
 irfl1006pbf.pdf pdf_icon

IRFL1006

PD - 95316IRFL1006PbFHEXFET Power MOSFET Surface MountD Advanced Process TechnologyVDSS = 60V Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingRDS(on) = 0.22 Fully Avalanche RatedG Lead-FreeID = 1.6ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This benefi

 ..2. Size:127K  international rectifier
 irfl1006.pdf pdf_icon

IRFL1006

PD - 91876IRFL1006HEXFET Power MOSFET Surface MountD Advanced Process TechnologyVDSS = 60V Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingRDS(on) = 0.22 Fully Avalanche RatedGID = 1.6ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This benefit,combined wi

 9.1. Size:197K  international rectifier
 irfl110pbf.pdf pdf_icon

IRFL1006

PD - 95317IRFL110PbFHEXFET Power MOSFET Surface MountD Available in Tape & ReelVDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingRDS(on) = 0.54 Ease of ParallelingG Simple Drive Requirements Lead-FreeID = 1.5ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of fast

 9.2. Size:244K  international rectifier
 irfl110.pdf pdf_icon

IRFL1006

PD - 90861AIRFL110HEXFET Power MOSFET Surface MountD Available in Tape & ReelVDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingRDS(on) = 0.54 Ease of ParallelingG Simple Drive RequirementsID = 1.5ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of fastswitching, rug

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History: 2N7082 | LKK47-06C5 | FQD13N10L

 

 
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