IRF9240SMD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF9240SMD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO276AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF9240SMD

IRF9240SMD Datasheet (PDF)

..1. Size:25K semelab
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IRF9240IRFN9240IRF9240SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42)IRF924011.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)D1 23(case)G3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312)12.70 (0.50)STO3 Package (TO-204AA)FEATURESPin 1 Gate Pin 2 Source Pin 3 Drain P

7.1. Size:147K international rectifier
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PD - 90420REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9240HEXFETTRANSISTORS 200V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9240 -200V 0.5 -11AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design

7.2. Size:490K samsung
irf9240 irf9241 irf9242 irf9243 irfp9240 irfp9241 irfp9242 irfp9243 irf9640 irf9641 irf9642 irf9643.pdf