IRF9240SMD - описание и поиск аналогов

 

IRF9240SMD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF9240SMD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO276AB

Аналог (замена) для IRF9240SMD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9240SMD даташит

 ..1. Size:25K  semelab
irf9240smd.pdfpdf_icon

IRF9240SMD

IRF9240 IRFN9240 IRF9240SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) IRF9240 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) D 1 2 3 (case) G 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) S TO 3 Package (TO-204AA) FEATURES Pin 1 Gate Pin 2 Source Pin 3 Drain P

 7.1. Size:147K  international rectifier
irf9240.pdfpdf_icon

IRF9240SMD

PD - 90420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9240 HEXFET TRANSISTORS 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9240 -200V 0.5 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design

 7.3. Size:519K  samsung
irfp9240-43 irf9240-43 irf9640-43.pdfpdf_icon

IRF9240SMD

Другие MOSFET... IRFF9231 , IRFF9232 , IRFF9233 , IRF9131 , IRF9132 , IRF9133 , IRF9150 , IRF9151 , 20N50 , IRF9241 , IRF9242 , IRF9243 , IRF3706 , IRF3706L , IRF3706LPBF , IRF3706PBF , IRF3706S .

History: STD1NK60 | AOB600A70FL | WMK10N80M3 | SM1F04NSFP | 3N80L-TA3-T | SM1F12NSKP | VS3622DP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.