IRF9240SMD - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IRF9240SMD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IRF9240SMD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO276AB

Аналог (замена) для IRF9240SMD

IRF9240SMD Datasheet (PDF)

..1. Size:25K semelab
irf9240smd.pdf

IRF9240IRFN9240IRF9240SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42)IRF924011.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)D1 23(case)G3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312)12.70 (0.50)STO3 Package (TO-204AA)FEATURESPin 1 Gate Pin 2 Source Pin 3 Drain P

7.1. Size:147K international rectifier
irf9240.pdf

PD - 90420REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9240HEXFETTRANSISTORS 200V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9240 -200V 0.5 -11AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design

7.2. Size:490K samsung
irf9240 irf9241 irf9242 irf9243 irfp9240 irfp9241 irfp9242 irfp9243 irf9640 irf9641 irf9642 irf9643.pdf