IRFL210 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFL210

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.96 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: SOT223

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IRFL210 datasheet

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IRFL210

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IRFL210

PD- 95228 IRFL210PbF Lead-Free 04/28/04 Document Number 91193 www.vishay.com 1 IRFL210PbF Document Number 91193 www.vishay.com 2 IRFL210PbF Document Number 91193 www.vishay.com 3 IRFL210PbF Document Number 91193 www.vishay.com 4 IRFL210PbF Document Number 91193 www.vishay.com 5 IRFL210PbF Document Number 91193 www.vishay.com 6 IRFL210PbF Document Number 91

 ..3. Size:170K  vishay
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IRFL210

IRFL210, SiHFL210 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Surface Mount Qg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Parallelin

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IRFL210

IRFL210TRPBF www.VBsemi.tw N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Available in tape and reel VDS (V) 200 Dynamic dV/dt rating RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 Repetitive avalanche rated Qg (Max.) (nC) 8.2 Fast switching Qgs (nC) 1.8 Ease of paralleling Available Qgd (nC) 4.5 Simple drive requirements Configuration Single D SOT-223 D G S D

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