Справочник MOSFET. IRFL210

 

IRFL210 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFL210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.96 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для IRFL210

 

 

IRFL210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  international rectifier
 irfl210.pdf

IRFL210 IRFL210

 ..2. Size:803K  international rectifier
 irfl210pbf.pdf

IRFL210 IRFL210

PD- 95228IRFL210PbF Lead-Free04/28/04Document Number: 91193 www.vishay.com1IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com2IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com3IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com4IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com5IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com6IRFL210PbFDocument Number: 91

 ..3. Size:170K  vishay
 irfl210 sihfl210.pdf

IRFL210 IRFL210

IRFL210, SiHFL210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Surface MountQg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and ReelQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Parallelin

 0.1. Size:1687K  cn vbsemi
 irfl210trpbf.pdf

IRFL210 IRFL210

IRFL210TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Available in tape and reelVDS (V) 200 Dynamic dV/dt ratingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Repetitive avalanche ratedQg (Max.) (nC) 8.2 Fast switchingQgs (nC) 1.8 Ease of parallelingAvailableQgd (nC) 4.5 Simple drive requirementsConfiguration SingleDSOT-223DGSD

 8.1. Size:228K  international rectifier
 irfl214pbf.pdf

IRFL210 IRFL210

PD-95318IRFL214PbFHEXFET Power MOSFET Surface MountD Available in Tape & ReelVDSS = 250V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingRDS(on) = 2.0 Ease of ParallelingG Simple Drive Requirements Lead-FreeID = 0.79ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of fastsw

 8.2. Size:174K  international rectifier
 irfl214.pdf

IRFL210 IRFL210

 8.3. Size:925K  vishay
 irfl214 sihfl214.pdf

IRFL210 IRFL210

IRFL214, SiHFL214Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 250DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 Surface MountQg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and ReelQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Parallelin

Другие MOSFET... IRFIZ44A , IRFIZ44N , IRFIZ46N , IRFIZ48N , IRFL014 , IRFL024N , IRFL1006 , IRFL110 , IRLB4132 , IRFL214 , IRFL4105 , IRFL4310 , IRFL9014 , IRFL9110 , IRFM014A , IRFM044 , IRFM054 .

 

 
Back to Top