IRHQ567110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHQ567110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6(2.8) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27(0.96) Ohm
Encapsulados: LCC28
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IRHQ567110 datasheet
irhq567110.pdf
PD - 94057B IRHQ567110 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4# 4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHQ567110 100K Rads (Si) 0.27 4.6A N IRHQ563110 300K Rads (Si) 0.29 4.6A N IRHQ567110 100K Rads (Si) 0.96 -2.8A P IRHQ563110 300K Rads (Si) 0.98 -
irhq57110.pdf
PD - 94211 IRHQ57110 100V, Quad N-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4# 4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ57110 100K Rads (Si) 0.27 4.6A IRHQ53110 300K Rads (Si) 0.27 4.6A IRHQ54110 600K Rads (Si) 0.27 4.6A IRHQ58110 1000K Rads (Si) 0.29 4.6A LCC-28 International Rectif
irhq597110.pdf
PD - 94210 IRHQ597110 100V, Quad P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4# 4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ597110 100K Rads (Si) 0.96 -2.8A IRHQ593110 300K Rads (Si) 0.98 -2.8A LCC-28 International Rectifier s RAD-HardTM HEXFET MOSFET Features Technology provides high p
irhq57214se.pdf
PD - 93881B RADIATION HARDENED IRHQ57214SE POWER MOSFET 250V, QUAD N-CHANNEL SURFACE MOUNT (LCC-28) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ57214SE 100K Rads (Si) 1.5 1.9A LCC-28 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- Features cations. These devices have been characterized
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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