Справочник MOSFET. IRHQ567110

 

IRHQ567110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHQ567110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6(2.8) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27(0.96) Ohm
   Тип корпуса: LCC28
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHQ567110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  international rectifier
irhq567110.pdfpdf_icon

IRHQ567110

PD - 94057BIRHQ567110100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETTECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4#4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHQ567110 100K Rads (Si) 0.27 4.6A N IRHQ563110 300K Rads (Si) 0.29 4.6A N IRHQ567110 100K Rads (Si) 0.96 -2.8A P IRHQ563110 300K Rads (Si) 0.98 -

 9.1. Size:128K  international rectifier
irhq57110.pdfpdf_icon

IRHQ567110

PD - 94211 IRHQ57110100V, Quad N-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETTECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4#4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHQ57110 100K Rads (Si) 0.27 4.6AIRHQ53110 300K Rads (Si) 0.27 4.6AIRHQ54110 600K Rads (Si) 0.27 4.6AIRHQ58110 1000K Rads (Si) 0.29 4.6A LCC-28International Rectif

 9.2. Size:128K  international rectifier
irhq597110.pdfpdf_icon

IRHQ567110

PD - 94210IRHQ597110100V, Quad P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETTECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4#4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ597110 100K Rads (Si) 0.96 -2.8A IRHQ593110 300K Rads (Si) 0.98 -2.8A LCC-28International Rectifiers RAD-HardTM HEXFET MOSFETFeatures:Technology provides high p

 9.3. Size:131K  international rectifier
irhq57214se.pdfpdf_icon

IRHQ567110

PD - 93881BRADIATION HARDENED IRHQ57214SEPOWER MOSFET250V, QUAD N-CHANNELSURFACE MOUNT (LCC-28)TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ57214SE 100K Rads (Si) 1.5 1.9ALCC-28International Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for space appli- Features:cations. These devices have been characterized

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: WTK4228 | NVB6410AN | TMU3N50AZ | H04N65E | IRF3707SPBF | CRTD063N04L | HYG060P04LQ1D

 

 
Back to Top

 


 
.