IRHQ57110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHQ57110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC28

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHQ57110

IRHQ57110 Datasheet (PDF)

..1. Size:128K international rectifier
irhq57110.pdf

PD - 94211 IRHQ57110100V, Quad N-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETTECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4#4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHQ57110 100K Rads (Si) 0.27 4.6AIRHQ53110 300K Rads (Si) 0.27 4.6AIRHQ54110 600K Rads (Si) 0.27 4.6AIRHQ58110 1000K Rads (Si) 0.29 4.6A LCC-28International Rectif

8.1. Size:131K international rectifier
irhq57214se.pdf

PD - 93881BRADIATION HARDENED IRHQ57214SEPOWER MOSFET250V, QUAD N-CHANNELSURFACE MOUNT (LCC-28)TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ57214SE 100K Rads (Si) 1.5 1.9ALCC-28International Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for space appli- Features:cations. These devices have been characterized

9.1. Size:198K international rectifier
irhq567110.pdf

PD - 94057BIRHQ567110100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETTECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4#4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHQ567110 100K Rads (Si) 0.27 4.6A N IRHQ563110 300K Rads (Si) 0.29 4.6A N IRHQ567110 100K Rads (Si) 0.96 -2.8A P IRHQ563110 300K Rads (Si) 0.98 -

9.2. Size:128K international rectifier
irhq597110.pdf

PD - 94210IRHQ597110100V, Quad P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETTECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4#4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ597110 100K Rads (Si) 0.96 -2.8A IRHQ593110 300K Rads (Si) 0.98 -2.8A LCC-28International Rectifiers RAD-HardTM HEXFET MOSFETFeatures:Technology provides high p

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: