IRHQ57110. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRHQ57110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: LCC28
Аналог (замена) для IRHQ57110
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRHQ57110 даташит
irhq57110.pdf
PD - 94211 IRHQ57110 100V, Quad N-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4# 4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ57110 100K Rads (Si) 0.27 4.6A IRHQ53110 300K Rads (Si) 0.27 4.6A IRHQ54110 600K Rads (Si) 0.27 4.6A IRHQ58110 1000K Rads (Si) 0.29 4.6A LCC-28 International Rectif
irhq57214se.pdf
PD - 93881B RADIATION HARDENED IRHQ57214SE POWER MOSFET 250V, QUAD N-CHANNEL SURFACE MOUNT (LCC-28) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ57214SE 100K Rads (Si) 1.5 1.9A LCC-28 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- Features cations. These devices have been characterized
irhq567110.pdf
PD - 94057B IRHQ567110 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4# 4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHQ567110 100K Rads (Si) 0.27 4.6A N IRHQ563110 300K Rads (Si) 0.29 4.6A N IRHQ567110 100K Rads (Si) 0.96 -2.8A P IRHQ563110 300K Rads (Si) 0.98 -
irhq597110.pdf
PD - 94210 IRHQ597110 100V, Quad P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4# 4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ597110 100K Rads (Si) 0.96 -2.8A IRHQ593110 300K Rads (Si) 0.98 -2.8A LCC-28 International Rectifier s RAD-HardTM HEXFET MOSFET Features Technology provides high p
Другие MOSFET... IRFU7440PBF , IRFU7540PBF , IRFU7546PBF , IRFU7740PBF , IRFU7746PBF , IRHE7110 , IRHE9110 , IRHQ567110 , IRFB4227 , IRHQ57214SE , IRHQ597110 , IRHQ6110 , IRHQ7110 , IRHQ9110 , IRLU3705ZPBF , IRLU3714 , IRLU3714PBF .
History: AGM60P30D | 2SK1310 | CM9N90PZ | APQ02SN65AF
History: AGM60P30D | 2SK1310 | CM9N90PZ | APQ02SN65AF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor




