IRHQ6110 Todos los transistores

 

IRHQ6110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHQ6110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3(2.3) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6(1.1) Ohm

Encapsulados: LCC28

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IRHQ6110 datasheet

 ..1. Size:201K  international rectifier
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IRHQ6110

PD - 91781A IRHQ6110 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHQ6110 100K Rads (Si) 0.6 3.0A N IRHQ63110 300K Rads (Si) 0.6 3.0A N IRHQ6110 100K Rads (Si) 1.1 -2.3A P IRHQ63110 300K Rads (Si) 1.1 -2.3A P LCC-28

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