IRHQ6110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHQ6110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3(2.3) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6(1.1) Ohm
Paquete / Cubierta: LCC28
Búsqueda de reemplazo de IRHQ6110 MOSFET
IRHQ6110 Datasheet (PDF)
irhq6110.pdf

PD - 91781AIRHQ6110100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHQ6110 100K Rads (Si) 0.6 3.0A N IRHQ63110 300K Rads (Si) 0.6 3.0A N IRHQ6110 100K Rads (Si) 1.1 -2.3A P IRHQ63110 300K Rads (Si) 1.1 -2.3A P LCC-28
Otros transistores... IRFU7740PBF , IRFU7746PBF , IRHE7110 , IRHE9110 , IRHQ567110 , IRHQ57110 , IRHQ57214SE , IRHQ597110 , IRFB4110 , IRHQ7110 , IRHQ9110 , IRLU3705ZPBF , IRLU3714 , IRLU3714PBF , IRLU3714ZPBF , IRLU3715 , IRLU3715PBF .
History: SSF1502G5
History: SSF1502G5



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