IRHQ6110 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRHQ6110 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRHQ6110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3(2.3) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6(1.1) Ohm
   Тип корпуса: LCC28
 

 Аналог (замена) для IRHQ6110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHQ6110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  international rectifier
 irhq6110.pdf pdf_icon

IRHQ6110

PD - 91781AIRHQ6110100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHQ6110 100K Rads (Si) 0.6 3.0A N IRHQ63110 300K Rads (Si) 0.6 3.0A N IRHQ6110 100K Rads (Si) 1.1 -2.3A P IRHQ63110 300K Rads (Si) 1.1 -2.3A P LCC-28

Другие MOSFET... IRFU7740PBF , IRFU7746PBF , IRHE7110 , IRHE9110 , IRHQ567110 , IRHQ57110 , IRHQ57214SE , IRHQ597110 , P55NF06 , IRHQ7110 , IRHQ9110 , IRLU3705ZPBF , IRLU3714 , IRLU3714PBF , IRLU3714ZPBF , IRLU3715 , IRLU3715PBF .

History: YJQ30N03A | IPA60R125CP | VBZM150N03 | 2SK3070S | H5N2522LS | YJQ3400A | PSMN017-30EL

 

 
Back to Top

 


 
.