Справочник MOSFET. IRHQ6110

 

IRHQ6110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHQ6110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3(2.3) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6(1.1) Ohm
   Тип корпуса: LCC28
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHQ6110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  international rectifier
 irhq6110.pdf pdf_icon

IRHQ6110

PD - 91781AIRHQ6110100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHQ6110 100K Rads (Si) 0.6 3.0A N IRHQ63110 300K Rads (Si) 0.6 3.0A N IRHQ6110 100K Rads (Si) 1.1 -2.3A P IRHQ63110 300K Rads (Si) 1.1 -2.3A P LCC-28

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BL2N60-A | IRF9Z34NSPBF

 

 
Back to Top

 


 
.