IRHQ6110 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRHQ6110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3(2.3) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6(1.1) Ohm
Тип корпуса: LCC28
Аналог (замена) для IRHQ6110
IRHQ6110 Datasheet (PDF)
irhq6110.pdf
PD - 91781AIRHQ6110100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHQ6110 100K Rads (Si) 0.6 3.0A N IRHQ63110 300K Rads (Si) 0.6 3.0A N IRHQ6110 100K Rads (Si) 1.1 -2.3A P IRHQ63110 300K Rads (Si) 1.1 -2.3A P LCC-28
Другие MOSFET... IRFU7740PBF , IRFU7746PBF , IRHE7110 , IRHE9110 , IRHQ567110 , IRHQ57110 , IRHQ57214SE , IRHQ597110 , AON6414A , IRHQ7110 , IRHQ9110 , IRLU3705ZPBF , IRLU3714 , IRLU3714PBF , IRLU3714ZPBF , IRLU3715 , IRLU3715PBF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488


