IRLR3915PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLR3915PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 61 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLR3915PBF

IRLR3915PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:322K international rectifier
irlr3915pbf irlu3915pbf.pdf

PD - 95090BIRLR3915PbFIRLU3915PbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 14m Lead-FreeGDescriptionID = 30ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely lowon-resista

..2. Size:322K infineon
irlr3915pbf irlu3915pbf.pdf

6.1. Size:228K international rectifier
auirlr3915.pdf

PD - 97743AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR3915FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Logic-Level Gate DriveDV(BR)DSS55Vl Low On-ResistanceRDS(on) typ.12ml 175C Operating Temperaturel Fast Switchingmax 14mGl Fully Avalanche RatedID (Silicon Limited)61Al Repetitive Avalanche AllowedSup to Tjmax ID (Package Limited)30Al Lead-Free, R

6.2. Size:581K international rectifier
irlr3915.pdf

PD - 94543AUTOMOTIVE MOSFET IRLR3915IRLU3915FeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 14mGDescriptionID = 30ASpecifically designed for Automotive applications,Sthis HEXFET Power MOSFET utilizes the

6.3. Size:241K inchange semiconductor
irlr3915.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR3915, IIRLR3915FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)14mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV Gate-

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: