IRLR3915PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRLR3915PBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRLR3915PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR3915PBF даташит

 ..1. Size:322K  international rectifier
 irlr3915pbf irlu3915pbf.pdf pdf_icon

IRLR3915PBF

PD - 95090B IRLR3915PbF IRLU3915PbF Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 14m Lead-Free G Description ID = 30A S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resista

 6.1. Size:228K  international rectifier
 auirlr3915.pdf pdf_icon

IRLR3915PBF

PD - 97743 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR3915 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l Logic-Level Gate Drive D V(BR)DSS 55V l Low On-Resistance RDS(on) typ. 12m l 175 C Operating Temperature l Fast Switching max 14m G l Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 61A l Repetitive Avalanche Allowed S up to Tjmax ID (Package Limited) 30A l Lead-Free, R

 6.2. Size:581K  international rectifier
 irlr3915.pdf pdf_icon

IRLR3915PBF

PD - 94543 AUTOMOTIVE MOSFET IRLR3915 IRLU3915 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 14m G Description ID = 30A Specifically designed for Automotive applications, S this HEXFET Power MOSFET utilizes the

 6.3. Size:241K  inchange semiconductor
 irlr3915.pdf pdf_icon

IRLR3915PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR3915, IIRLR3915 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 14m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 55 V DSS V Gate-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRLR3714, IRLR3714PBF, IRLR3714ZPBF, IRLR3715, IRLR3715PBF, IRLR3715ZPBF, IRLR3717PBF, IRLR3802PBF, SPP20N60C3, IRLR4343, IRLR4343PBF, IRLU3802PBF, IRLU3915PBF, IRLU4343, IRLU4343PBF, IRLR7807ZCPBF, IRLR7807ZPBF