IRLR3915PBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRLR3915PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRLR3915PBF
IRLR3915PBF Datasheet (PDF)
irlr3915pbf irlu3915pbf.pdf

PD - 95090BIRLR3915PbFIRLU3915PbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 14m Lead-FreeGDescriptionID = 30ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely lowon-resista
auirlr3915.pdf

PD - 97743AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR3915FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Logic-Level Gate DriveDV(BR)DSS55Vl Low On-ResistanceRDS(on) typ.12ml 175C Operating Temperaturel Fast Switchingmax 14mGl Fully Avalanche RatedID (Silicon Limited)61Al Repetitive Avalanche AllowedSup to Tjmax ID (Package Limited)30Al Lead-Free, R
irlr3915.pdf

PD - 94543AUTOMOTIVE MOSFET IRLR3915IRLU3915FeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 14mGDescriptionID = 30ASpecifically designed for Automotive applications,Sthis HEXFET Power MOSFET utilizes the
irlr3915.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR3915, IIRLR3915FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)14mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV Gate-
Другие MOSFET... IRLR3714 , IRLR3714PBF , IRLR3714ZPBF , IRLR3715 , IRLR3715PBF , IRLR3715ZPBF , IRLR3717PBF , IRLR3802PBF , AON7410 , IRLR4343 , IRLR4343PBF , IRLU3802PBF , IRLU3915PBF , IRLU4343 , IRLU4343PBF , IRLR7807ZCPBF , IRLR7807ZPBF .
History: AP2306AGN | KNB2404A | STB32N65M5 | 3N80G-TF2-T | AOD2606 | SF1116
History: AP2306AGN | KNB2404A | STB32N65M5 | 3N80G-TF2-T | AOD2606 | SF1116



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor