IRLR3915PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRLR3915PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRLR3915PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRLR3915PBF даташит
irlr3915pbf irlu3915pbf.pdf
PD - 95090B IRLR3915PbF IRLU3915PbF Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 14m Lead-Free G Description ID = 30A S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resista
auirlr3915.pdf
PD - 97743 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR3915 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l Logic-Level Gate Drive D V(BR)DSS 55V l Low On-Resistance RDS(on) typ. 12m l 175 C Operating Temperature l Fast Switching max 14m G l Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 61A l Repetitive Avalanche Allowed S up to Tjmax ID (Package Limited) 30A l Lead-Free, R
irlr3915.pdf
PD - 94543 AUTOMOTIVE MOSFET IRLR3915 IRLU3915 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 14m G Description ID = 30A Specifically designed for Automotive applications, S this HEXFET Power MOSFET utilizes the
irlr3915.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR3915, IIRLR3915 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 14m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 55 V DSS V Gate-
Другие MOSFET... IRLR3714 , IRLR3714PBF , IRLR3714ZPBF , IRLR3715 , IRLR3715PBF , IRLR3715ZPBF , IRLR3717PBF , IRLR3802PBF , SPP20N60C3 , IRLR4343 , IRLR4343PBF , IRLU3802PBF , IRLU3915PBF , IRLU4343 , IRLU4343PBF , IRLR7807ZCPBF , IRLR7807ZPBF .
History: SM3326NHQA | NTD4856N
History: SM3326NHQA | NTD4856N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor



