IRLR3915PBF - описание и поиск аналогов

 

IRLR3915PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLR3915PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRLR3915PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR3915PBF даташит

 ..1. Size:322K  international rectifier
irlr3915pbf irlu3915pbf.pdfpdf_icon

IRLR3915PBF

PD - 95090B IRLR3915PbF IRLU3915PbF Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 14m Lead-Free G Description ID = 30A S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resista

 6.1. Size:228K  international rectifier
auirlr3915.pdfpdf_icon

IRLR3915PBF

PD - 97743 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR3915 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l Logic-Level Gate Drive D V(BR)DSS 55V l Low On-Resistance RDS(on) typ. 12m l 175 C Operating Temperature l Fast Switching max 14m G l Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 61A l Repetitive Avalanche Allowed S up to Tjmax ID (Package Limited) 30A l Lead-Free, R

 6.2. Size:581K  international rectifier
irlr3915.pdfpdf_icon

IRLR3915PBF

PD - 94543 AUTOMOTIVE MOSFET IRLR3915 IRLU3915 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 14m G Description ID = 30A Specifically designed for Automotive applications, S this HEXFET Power MOSFET utilizes the

 6.3. Size:241K  inchange semiconductor
irlr3915.pdfpdf_icon

IRLR3915PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR3915, IIRLR3915 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 14m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 55 V DSS V Gate-

Другие MOSFET... IRLR3714 , IRLR3714PBF , IRLR3714ZPBF , IRLR3715 , IRLR3715PBF , IRLR3715ZPBF , IRLR3717PBF , IRLR3802PBF , SPP20N60C3 , IRLR4343 , IRLR4343PBF , IRLU3802PBF , IRLU3915PBF , IRLU4343 , IRLU4343PBF , IRLR7807ZCPBF , IRLR7807ZPBF .

History: SM3326NHQA | NTD4856N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.