IRLR3636PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLR3636PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 216 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 332 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLR3636PBF

IRLR3636PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:383K international rectifier
irlu3636pbf irlr3636pbf.pdf

PD - 96224IRLR3636PbFIRLU3636PbFApplicationsl DC Motor DriveHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power SupplyDVDSS 60Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.5.4ml Hard Switched and High Frequency Circuits max. 6.8mGID (Silicon Limited)99ABenefitsID (Package Limited)50ASl Optimized for Logic Level

..2. Size:383K infineon
irlr3636pbf irlu3636pbf.pdf

6.1. Size:636K infineon
auirlr3636.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR3636 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 60V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 5.4m Logic Level Gate Drive max. 6.8m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 99A Fast Switching ID (Package Limited) 50A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS C

6.2. Size:1055K cn vbsemi
irlr3636trpbf.pdf

IRLR3636TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0120ID (A) 97Configuration SingleDTO-252GSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25

6.3. Size:242K inchange semiconductor
irlr3636.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR3636, IIRLR3636FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Speed Power SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60 V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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