Справочник MOSFET. IRLR3636PBF

 

IRLR3636PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLR3636PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 216 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 332 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IRLR3636PBF

 

 

IRLR3636PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  international rectifier
 irlu3636pbf irlr3636pbf.pdf

IRLR3636PBF IRLR3636PBF

PD - 96224IRLR3636PbFIRLU3636PbFApplicationsl DC Motor DriveHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power SupplyDVDSS 60Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.5.4ml Hard Switched and High Frequency Circuits max. 6.8mGID (Silicon Limited)99ABenefitsID (Package Limited)50ASl Optimized for Logic Level

 ..2. Size:383K  infineon
 irlr3636pbf irlu3636pbf.pdf

IRLR3636PBF IRLR3636PBF

PD - 96224IRLR3636PbFIRLU3636PbFApplicationsl DC Motor DriveHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power SupplyDVDSS 60Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.5.4ml Hard Switched and High Frequency Circuits max. 6.8mGID (Silicon Limited)99ABenefitsID (Package Limited)50ASl Optimized for Logic Level

 6.1. Size:636K  infineon
 auirlr3636.pdf

IRLR3636PBF IRLR3636PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR3636 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 60V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 5.4m Logic Level Gate Drive max. 6.8m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 99A Fast Switching ID (Package Limited) 50A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS C

 6.2. Size:1055K  cn vbsemi
 irlr3636trpbf.pdf

IRLR3636PBF IRLR3636PBF

IRLR3636TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0120ID (A) 97Configuration SingleDTO-252GSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25

 6.3. Size:242K  inchange semiconductor
 irlr3636.pdf

IRLR3636PBF IRLR3636PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR3636, IIRLR3636FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Speed Power SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top