IRLU110PBF Todos los transistores

 

IRLU110PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLU110PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm

Encapsulados: TO251

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IRLU110PBF datasheet

 ..1. Size:1177K  international rectifier
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IRLU110PBF

PD - 95601A IRLR110PbF IRLU110PbF Lead-Free 1/10/05 Document Number 91323 www.vishay.com 1 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 2 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 3 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 4 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 5 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 6 IRLR/U11

 ..2. Size:2150K  vishay
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IRLU110PBF

IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.54 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 6.1 Surface Mount (IRLR110, SiHLR110) Qgs (nC) 2.0 Straight Lead (IRLU110, SiHLU110) Qgd (nC) 3.3 Available i

 6.1. Size:843K  cn vbsemi
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IRLU110PBF

IRLU110P www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.115 at VGS = 10 V 15 100 % Rg Tested 100 0.120 at VGS = 6 V 15 APPLICATIONS Primary Side Switch TO-251 D G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise

 7.1. Size:244K  fairchild semi
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IRLU110PBF

IRLR/U110A FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.44 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.336 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings

Otros transistores... IRLU2908PBF , IRLU014N , IRLU014NPBF , IRLU014PBF , IRLU024NPBF , IRLU024PBF , IRLU024ZPBF , IRLU110 , 10N60 , IRLU120 , IRLU120NPBF , IRLU120PBF , IRLR014N , IRLR014NPBF , IRLR014PBF , IRLR024NPBF , IRLR024PBF .

History: 2SK1437 | IRLZ24NL

 

 

 


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