IRLU110PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLU110PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.1 nC
Время нарастания (tr): 47 ns
Выходная емкость (Cd): 80 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.54 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IRLU110PBF
IRLU110PBF Datasheet (PDF)
irlr110pbf irlu110pbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 95601AIRLR110PbFIRLU110PbF Lead-Free1/10/05Document Number: 91323 www.vishay.com1IRLR/U110PbFDocument Number: 91323 www.vishay.com2IRLR/U110PbFDocument Number: 91323 www.vishay.com3IRLR/U110PbFDocument Number: 91323 www.vishay.com4IRLR/U110PbFDocument Number: 91323 www.vishay.com5IRLR/U110PbFDocument Number: 91323 www.vishay.com6IRLR/U11
irlr110 irlu110 irlr110pbf irlu110pbf sihlr110 sihlu110.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 6.1 Surface Mount (IRLR110, SiHLR110)Qgs (nC) 2.0 Straight Lead (IRLU110, SiHLU110)Qgd (nC) 3.3 Available i
irlu110p.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRLU110Pwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.115 at VGS = 10 V15 100 % Rg Tested1000.120 at VGS = 6 V 15APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-251DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise
irlr110a irlu110a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRLR/U110AFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.44 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON): 0.336 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratings
irlr110 irlu110 sihlr110 sihlu110.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 6.1 Surface Mount (IRLR110, SiHLR110)Qgs (nC) 2.0 Straight Lead (IRLU110, SiHLU110)Qgd (nC) 3.3 Available i
irlu110a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU110AFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
![IRLU110PBF](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IRLU110PBF](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IRLU110PBF](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C