IRLD024PBF Todos los transistores

 

IRLD024PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLD024PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: DIP4

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IRLD024PBF datasheet

 ..1. Size:1763K  international rectifier
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IRLD024PBF

PD- 95981 IRLD024PbF Lead-Free 12/21/04 Document Number 91308 www.vishay.com 1 IRLD024PbF Document Number 91308 www.vishay.com 2 IRLD024PbF Document Number 91308 www.vishay.com 3 IRLD024PbF Document Number 91308 www.vishay.com 4 IRLD024PbF Document Number 91308 www.vishay.com 5 IRLD024PbF Document Number 91308 www.vishay.com 6 IRLD024PbF Peak Diode Recovery

 7.1. Size:170K  international rectifier
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IRLD024PBF

 7.2. Size:1692K  vishay
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IRLD024PBF

IRLD024, SiHLD024 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.10 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 18 COMPLIANT Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 4.5 Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operating Temperature

 9.1. Size:172K  international rectifier
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IRLD024PBF

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History: WMR10N03T1 | MTP3N60FI | SML40C15N | FQD5N60C | ELM53406CA | FQAF11N90C | BSL214N

 

 

 

 

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