Справочник MOSFET. IRLD024PBF

 

IRLD024PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLD024PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: DIP4
 

 Аналог (замена) для IRLD024PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLD024PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1763K  international rectifier
 irld024pbf.pdf pdf_icon

IRLD024PBF

PD- 95981IRLD024PbF Lead-Free12/21/04Document Number: 91308 www.vishay.com1IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com2IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com3IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com4IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com5IRLD024PbFDocument Number: 91308 www.vishay.com6IRLD024PbFPeak Diode Recovery

 7.1. Size:170K  international rectifier
 irld024.pdf pdf_icon

IRLD024PBF

 7.2. Size:1692K  vishay
 irld024 sihld024.pdf pdf_icon

IRLD024PBF

IRLD024, SiHLD024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.10RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 4.5Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

 9.1. Size:172K  international rectifier
 irld014.pdf pdf_icon

IRLD024PBF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRLHS6342PBF , IRLHS6376PBF , IRLH5030PBF , IRLH5034PBF , IRLH5036PBF , IRLH6224PBF , IRLH7134PBF , IRLD014PBF , IRF3205 , IRLD110PBF , IRLD120PBF , IRLF120 , IRFJ240 , IRFV064 , IRFV260 , IRFV360 , IRFV460 .

History: IXTH22N50P | AM4922N

 

 
Back to Top

 


 
.