IRLF120 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLF120
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Encapsulados: TO39
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IRLF120 datasheet
irlf120.pdf
PD - 90639A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRLF120 HEXFET TRANSISTORS 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRLF120 100V 0.35 5.3A The Logic Level L series of power MOSFETs are de- signed to be operated with level logic gate-to-source voltage of 5V. In addition to the well established characterstics of HEXFETs , they have th
Otros transistores... IRLH5034PBF , IRLH5036PBF , IRLH6224PBF , IRLH7134PBF , IRLD014PBF , IRLD024PBF , IRLD110PBF , IRLD120PBF , 20N60 , IRFJ240 , IRFV064 , IRFV260 , IRFV360 , IRFV460 , IRFW610B , IRFI630B , IRFW710B .
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