Справочник MOSFET. IRLF120

 

IRLF120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLF120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO39
 

 Аналог (замена) для IRLF120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLF120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:548K  international rectifier
 irlf120.pdf pdf_icon

IRLF120

PD - 90639AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRLF120HEXFETTRANSISTORS 100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-39)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRLF120 100V 0.35 5.3AThe Logic Level L series of power MOSFETs are de-signed to be operated with level logic gate-to-sourcevoltage of 5V. In addition to the well establishedcharacterstics of HEXFETs, they have th

Другие MOSFET... IRLH5034PBF , IRLH5036PBF , IRLH6224PBF , IRLH7134PBF , IRLD014PBF , IRLD024PBF , IRLD110PBF , IRLD120PBF , 20N60 , IRFJ240 , IRFV064 , IRFV260 , IRFV360 , IRFV460 , IRFW610B , IRFI630B , IRFW710B .

History: ME95N10F-G

 

 
Back to Top

 


 
.