Справочник MOSFET. IRLF120

 

IRLF120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLF120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO39
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLF120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:548K  international rectifier
 irlf120.pdf pdf_icon

IRLF120

PD - 90639AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRLF120HEXFETTRANSISTORS 100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-39)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRLF120 100V 0.35 5.3AThe Logic Level L series of power MOSFETs are de-signed to be operated with level logic gate-to-sourcevoltage of 5V. In addition to the well establishedcharacterstics of HEXFETs, they have th

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AOD4132 | BSS214NW | TK3A60DA | HAF1002 | PK5M6EA | APL602J

 

 
Back to Top

 


 
.