IRLF120 - описание и поиск аналогов

 

IRLF120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLF120

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO39

Аналог (замена) для IRLF120

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLF120 даташит

 ..1. Size:548K  international rectifier
 irlf120.pdf pdf_icon

IRLF120

PD - 90639A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRLF120 HEXFET TRANSISTORS 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRLF120 100V 0.35 5.3A The Logic Level L series of power MOSFETs are de- signed to be operated with level logic gate-to-source voltage of 5V. In addition to the well established characterstics of HEXFETs , they have th

Другие MOSFET... IRLH5034PBF , IRLH5036PBF , IRLH6224PBF , IRLH7134PBF , IRLD014PBF , IRLD024PBF , IRLD110PBF , IRLD120PBF , 20N60 , IRFJ240 , IRFV064 , IRFV260 , IRFV360 , IRFV460 , IRFW610B , IRFI630B , IRFW710B .

History: TT8U1 | AOD7S60 | JMPL1050AE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.