Справочник MOSFET. IRLF120

 

IRLF120 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLF120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO39

 Аналог (замена) для IRLF120

 

 

IRLF120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:548K  international rectifier
 irlf120.pdf

IRLF120 IRLF120

PD - 90639AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRLF120HEXFETTRANSISTORS 100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-39)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRLF120 100V 0.35 5.3AThe Logic Level L series of power MOSFETs are de-signed to be operated with level logic gate-to-sourcevoltage of 5V. In addition to the well establishedcharacterstics of HEXFETs, they have th

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top