IRFV260 Todos los transistores

 

IRFV260 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFV260
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO258AA
 

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IRFV260 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  international rectifier
 irfv260.pdf pdf_icon

IRFV260

Provisional Data Sheet No. PD-9.2002IRFV260HEXFET TRANSISTORN-CHANNELProduct Summary200 Volt, 0.060, HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDHEXFET technology is the key to InternationalIRFV260 200V 0.060 45A*Rectifiers advanced line of power MOSFET transis-tors. The efficient geometry design achieves veryFeatures:low on-state resistance combined

Otros transistores... IRLH7134PBF , IRLD014PBF , IRLD024PBF , IRLD110PBF , IRLD120PBF , IRLF120 , IRFJ240 , IRFV064 , 50N06 , IRFV360 , IRFV460 , IRFW610B , IRFI630B , IRFW710B , IRFI064 , IRFI1010NPBF , IRFI1310NPBF .

History: IRFI1010NPBF | KP723G | NVBG160N120SC1 | KF6N60F | NVBG080N120SC1

 

 
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