IRFV260 Todos los transistores

 

IRFV260 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFV260

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO258AA

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IRFV260 datasheet

 ..1. Size:33K  international rectifier
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IRFV260

Provisional Data Sheet No. PD-9.2002 IRFV260 HEXFET TRANSISTOR N-CHANNEL Product Summary 200 Volt, 0.060 , HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFET technology is the key to International IRFV260 200V 0.060 45A* Rectifier s advanced line of power MOSFET transis- tors. The efficient geometry design achieves very Features low on-state resistance combined

Otros transistores... IRLH7134PBF , IRLD014PBF , IRLD024PBF , IRLD110PBF , IRLD120PBF , IRLF120 , IRFJ240 , IRFV064 , 50N06 , IRFV360 , IRFV460 , IRFW610B , IRFI630B , IRFW710B , IRFI064 , IRFI1010NPBF , IRFI1310NPBF .

 

 

 


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