IRFV260 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFV260
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 40 nC
Tiempo de subida (tr): 120 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO258AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFV260
IRFV260 Datasheet (PDF)
irfv260.pdf
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Provisional Data Sheet No. PD-9.2002IRFV260HEXFET TRANSISTORN-CHANNELProduct Summary200 Volt, 0.060, HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDHEXFET technology is the key to InternationalIRFV260 200V 0.060 45A*Rectifiers advanced line of power MOSFET transis-tors. The efficient geometry design achieves veryFeatures:low on-state resistance combined
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