Справочник MOSFET. IRFV260

 

IRFV260 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFV260
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO258AA
 

 Аналог (замена) для IRFV260

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFV260 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  international rectifier
 irfv260.pdf pdf_icon

IRFV260

Provisional Data Sheet No. PD-9.2002IRFV260HEXFET TRANSISTORN-CHANNELProduct Summary200 Volt, 0.060, HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDHEXFET technology is the key to InternationalIRFV260 200V 0.060 45A*Rectifiers advanced line of power MOSFET transis-tors. The efficient geometry design achieves veryFeatures:low on-state resistance combined

Другие MOSFET... IRLH7134PBF , IRLD014PBF , IRLD024PBF , IRLD110PBF , IRLD120PBF , IRLF120 , IRFJ240 , IRFV064 , 50N06 , IRFV360 , IRFV460 , IRFW610B , IRFI630B , IRFW710B , IRFI064 , IRFI1010NPBF , IRFI1310NPBF .

History: SLP7N80C

 

 
Back to Top

 


 
.