IRFV260 - описание и поиск аналогов

 

IRFV260. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFV260

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO258AA

Аналог (замена) для IRFV260

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFV260 даташит

 ..1. Size:33K  international rectifier
irfv260.pdfpdf_icon

IRFV260

Provisional Data Sheet No. PD-9.2002 IRFV260 HEXFET TRANSISTOR N-CHANNEL Product Summary 200 Volt, 0.060 , HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFET technology is the key to International IRFV260 200V 0.060 45A* Rectifier s advanced line of power MOSFET transis- tors. The efficient geometry design achieves very Features low on-state resistance combined

Другие MOSFET... IRLH7134PBF , IRLD014PBF , IRLD024PBF , IRLD110PBF , IRLD120PBF , IRLF120 , IRFJ240 , IRFV064 , 50N06 , IRFV360 , IRFV460 , IRFW610B , IRFI630B , IRFW710B , IRFI064 , IRFI1010NPBF , IRFI1310NPBF .

History: IRFJ240 | 2SJ604-Z | SVSP65R110SHD4 | AGMH056N08C | BSZ240N12NS3G | BUK114-50L-S | MTM8N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.