IRFV260. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFV260
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO258AA
Аналог (замена) для IRFV260
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFV260 даташит
irfv260.pdf
Provisional Data Sheet No. PD-9.2002 IRFV260 HEXFET TRANSISTOR N-CHANNEL Product Summary 200 Volt, 0.060 , HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFET technology is the key to International IRFV260 200V 0.060 45A* Rectifier s advanced line of power MOSFET transis- tors. The efficient geometry design achieves very Features low on-state resistance combined
Другие MOSFET... IRLH7134PBF , IRLD014PBF , IRLD024PBF , IRLD110PBF , IRLD120PBF , IRLF120 , IRFJ240 , IRFV064 , 50N06 , IRFV360 , IRFV460 , IRFW610B , IRFI630B , IRFW710B , IRFI064 , IRFI1010NPBF , IRFI1310NPBF .
History: IRFJ240 | 2SJ604-Z | SVSP65R110SHD4 | AGMH056N08C | BSZ240N12NS3G | BUK114-50L-S | MTM8N60
History: IRFJ240 | 2SJ604-Z | SVSP65R110SHD4 | AGMH056N08C | BSZ240N12NS3G | BUK114-50L-S | MTM8N60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388

