IRFI260 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFI260
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO259AA
Búsqueda de reemplazo de IRFI260 MOSFET
IRFI260 Datasheet (PDF)
irfi260.pdf

D . D . 14.1 $ HEXFET TRANSISTORN-CHANNELProduct Summary200 Volt, 0.060, HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDHEXFET technology is the key to InternationalIRFI260 200V 0.060 45A*Rectifiers advanced line of power MOSFET transis-tors. The efficient geometry design achieves veryFeatures:low on-state resistance combined with high trans- Herm
Otros transistores... IRFV360 , IRFV460 , IRFW610B , IRFI630B , IRFW710B , IRFI064 , IRFI1010NPBF , IRFI1310NPBF , IRFB4227 , IRFI3205PBF , IRFI360 , IRFI4110GPBF , IRFI4227PBF , IRFI4228PBF , IRFI4229PBF , IRFI4321PBF , IRFI4410ZGPBF .
History: SQD40N06-14 | SI2377EDS
History: SQD40N06-14 | SI2377EDS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor