IRFI260 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFI260
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO259AA
Аналог (замена) для IRFI260
IRFI260 Datasheet (PDF)
irfi260.pdf
D . D . 14.1 $ HEXFET TRANSISTORN-CHANNELProduct Summary200 Volt, 0.060, HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDHEXFET technology is the key to InternationalIRFI260 200V 0.060 45A*Rectifiers advanced line of power MOSFET transis-tors. The efficient geometry design achieves veryFeatures:low on-state resistance combined with high trans- Herm
Другие MOSFET... IRFV360 , IRFV460 , IRFW610B , IRFI630B , IRFW710B , IRFI064 , IRFI1010NPBF , IRFI1310NPBF , AO3400 , IRFI3205PBF , IRFI360 , IRFI4110GPBF , IRFI4227PBF , IRFI4228PBF , IRFI4229PBF , IRFI4321PBF , IRFI4410ZGPBF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor


