IRFN130 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFN130 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFN130

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: SMD1

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IRFN130 datasheet

0.1. Size:21K semelab
irfn130smd.pdf pdf_icon

IRFN130SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS 100V ID(cont) 11A RDS(on) 0.19 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS SMD1 LIGHTWEIGHT Pad 1 Source Pad 2 Drain Pad 3 Gate SCREENING OPTIONS AV

0.2. Size:36K semelab
irfn130smd05 irfnj130.pdf pdf_icon

IRFNJ130N IRFN130SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET 7.54 (0.296) FOR HI REL 0.76 (0.030) min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. APPLICATIONS 0.127 (0.005) 1 3 VDSS 100V ID(cont) 11A 2 RDS(on) 0.19 FEATURES 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) HERMETICALLY SEALED 0.50 (0.020) max. 7.26 (0.28

9.1. Size:183K international rectifier
irfn140.pdf pdf_icon

PD - 91546C IRFN140 JANTX2N7218U JANTXV2N7218U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN140 0.077 28A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

9.2. Size:166K international rectifier
irfn150.pdf pdf_icon

PD - 91547C IRFN150 JANTX2N7224U JANTXV2N7224U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN150 0.07 34A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

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