IRFN130. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFN130

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: SMD1

Аналог (замена) для IRFN130

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFN130 даташит

 0.1. Size:21K  semelab
 irfn130smd.pdf pdf_icon

IRFN130

IRFN130SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS 100V ID(cont) 11A RDS(on) 0.19 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS SMD1 LIGHTWEIGHT Pad 1 Source Pad 2 Drain Pad 3 Gate SCREENING OPTIONS AV

 0.2. Size:36K  semelab
 irfn130smd05 irfnj130.pdf pdf_icon

IRFN130

IRFNJ130N IRFN130SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET 7.54 (0.296) FOR HI REL 0.76 (0.030) min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. APPLICATIONS 0.127 (0.005) 1 3 VDSS 100V ID(cont) 11A 2 RDS(on) 0.19 FEATURES 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) HERMETICALLY SEALED 0.50 (0.020) max. 7.26 (0.28

 9.1. Size:183K  international rectifier
 irfn140.pdf pdf_icon

IRFN130

PD - 91546C IRFN140 JANTX2N7218U JANTXV2N7218U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN140 0.077 28A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.2. Size:166K  international rectifier
 irfn150.pdf pdf_icon

IRFN130

PD - 91547C IRFN150 JANTX2N7224U JANTXV2N7224U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN150 0.07 34A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFM350, IRFM360, IRFM440, IRFM460, IRFM9140, IRFM9240, IRFN044, IRFN054, IRFP450, IRFN140, IRFN150, IRFN240, IRFN250, IRFN340, IRFN350, IRFN440, IRFN450