IRL5Y024CM Todos los transistores

 

IRL5Y024CM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRL5Y024CM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 133 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm

Encapsulados: TO257AA

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IRL5Y024CM datasheet

 ..1. Size:103K  international rectifier
 irl5y024cm.pdf pdf_icon

IRL5Y024CM

PD - 94018A HEXFET POWER MOSFET IRL5Y024CM THRU-HOLE (TO-257AA) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5Y024CM 55V 0.069 17A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the f

 9.1. Size:101K  international rectifier
 irl5y7413cm.pdf pdf_icon

IRL5Y024CM

PD - 94164A HEXFET POWER MOSFET IRL5Y7413CM THRU-HOLE (TO-257AA) 30V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5Y7413CM 30V 0.025 18A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features

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