IRL5Y024CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRL5Y024CM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 133 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRL5Y024CM

IRL5Y024CM Datasheet (PDF)

..1. Size:103K international rectifier
irl5y024cm.pdf

PD - 94018AHEXFET POWER MOSFET IRL5Y024CMTHRU-HOLE (TO-257AA)55V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5Y024CM 55V 0.069 17AFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with thef

9.1. Size:101K international rectifier
irl5y7413cm.pdf

PD - 94164AHEXFET POWER MOSFET IRL5Y7413CMTHRU-HOLE (TO-257AA)30V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5Y7413CM 30V 0.025 18A*Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with the Features:

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