IRL5Y024CM - описание и поиск аналогов

 

IRL5Y024CM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL5Y024CM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для IRL5Y024CM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL5Y024CM даташит

 ..1. Size:103K  international rectifier
 irl5y024cm.pdf pdf_icon

IRL5Y024CM

PD - 94018A HEXFET POWER MOSFET IRL5Y024CM THRU-HOLE (TO-257AA) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5Y024CM 55V 0.069 17A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the f

 9.1. Size:101K  international rectifier
 irl5y7413cm.pdf pdf_icon

IRL5Y024CM

PD - 94164A HEXFET POWER MOSFET IRL5Y7413CM THRU-HOLE (TO-257AA) 30V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5Y7413CM 30V 0.025 18A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features

Другие MOSFET... IRL630PBF , IRL630SPBF , IRL6342PBF , IRL640PBF , IRL640SPBF , IRL5NJ024 , IRL5NJ7404 , IRL5NJ7413 , IRF740 , IRL5Y7413CM , IRL5602SPBF , IRL510PBF , IRL510S , IRL510SPBF , IRL520L , IRL520LPBF , IRL520NLPBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.