Справочник MOSFET. IRL5Y024CM

 

IRL5Y024CM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL5Y024CM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для IRL5Y024CM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL5Y024CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  international rectifier
 irl5y024cm.pdf pdf_icon

IRL5Y024CM

PD - 94018AHEXFET POWER MOSFET IRL5Y024CMTHRU-HOLE (TO-257AA)55V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5Y024CM 55V 0.069 17AFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with thef

 9.1. Size:101K  international rectifier
 irl5y7413cm.pdf pdf_icon

IRL5Y024CM

PD - 94164AHEXFET POWER MOSFET IRL5Y7413CMTHRU-HOLE (TO-257AA)30V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5Y7413CM 30V 0.025 18A*Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with the Features:

Другие MOSFET... IRL630PBF , IRL630SPBF , IRL6342PBF , IRL640PBF , IRL640SPBF , IRL5NJ024 , IRL5NJ7404 , IRL5NJ7413 , IRF740 , IRL5Y7413CM , IRL5602SPBF , IRL510PBF , IRL510S , IRL510SPBF , IRL520L , IRL520LPBF , IRL520NLPBF .

History: FQB27N25TMF085 | SWF13N65K2 | SSF5NS65G | KIA6N70H-251 | NCEP040N10GU | IRFR24N15D | NCE40H20A

 

 
Back to Top

 


 
.