Справочник MOSFET. IRL5Y024CM

 

IRL5Y024CM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRL5Y024CM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 133 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA

 Аналог (замена) для IRL5Y024CM

 

 

IRL5Y024CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  international rectifier
 irl5y024cm.pdf

IRL5Y024CM IRL5Y024CM

PD - 94018AHEXFET POWER MOSFET IRL5Y024CMTHRU-HOLE (TO-257AA)55V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5Y024CM 55V 0.069 17AFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with thef

 9.1. Size:101K  international rectifier
 irl5y7413cm.pdf

IRL5Y024CM IRL5Y024CM

PD - 94164AHEXFET POWER MOSFET IRL5Y7413CMTHRU-HOLE (TO-257AA)30V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5Y7413CM 30V 0.025 18A*Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with the Features:

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top