IRL5602SPBF Todos los transistores

 

IRL5602SPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRL5602SPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IRL5602SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  international rectifier
 irl5602spbf.pdf pdf_icon

IRL5602SPBF

PD- 95099IRL5602SPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = -20Vl 175C Operating Temperaturel P-ChannelRDS(on) = 0.042l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = -24Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve extremely low on-resist

 6.1. Size:171K  international rectifier
 irl5602s.pdf pdf_icon

IRL5602SPBF

PD- 91888IRL5602SHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = -20Vl 175C Operating Temperaturel P-ChannelRDS(on) = 0.042Wl Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = -24ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

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History: STD95NH02L | SRT03N010LD56TR-GS | FKBA4903 | STP265N6F6AG | IPP80N04S3-H4 | CS4N65A3HD1-G | DG4N60

 

 
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